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三星带头,内存价格触底反弹?

三星带头,内存价格触底反弹?

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    内存报价跌跌不休,业者难忍亏损,三星祭出重手下令暂停内存第六代V-NAND成熟型制程报价,低于1.6美元者全面停止出货。业界二大龙头厂私下证实,并表示,「先前该产品1.45~1.48美元低价位,未来不会再出现了」,意味内存价格全面看涨,可望在供应链配合下,进入报价回升周期。

    内存产业上半年虽经历三星、SK海力士及美光国际三大厂全面减产,跌价趋势止缓,但低需求市况拖累,造成内存价格持续低档盘旋。业者分析,由于三大国际内存原厂上半年亏损幅度太大,即使已减产三成,内存报价仍无法止跌,原厂目前的态度,倾向极力推动涨价,以避免营运继续失血。

 

    带动中系模组厂报价

    国际内存原厂也拟扩大减产,不仅是韩系三星、SK海力士相继宣布,将进一步减产NANDFlash,美系的美光也将跟进扩大减产幅度,期待再更进一步的减少市场供给量,进而拉抬报价出现回升。

    三星此次下令暂停低价报价,引起市场高度关切,惟此举带动中系模组厂配合原厂调涨报价,根据报导指出,涨幅应声已达8~10%;据了解,中国大陆内存模组厂配合韩国三星涨价策略,近日向嵌入式存储、SSD、手机、平板或NB的OEM厂客户宣布,将暂停低价接单,并预估调涨8~10%。

    不过,目前终端需求疲软,苹果iPhone15新机虽然将在秋季上市,但最新产业报告预估目标生产量大降至7,700万台,对电子产业营运将产生的挹注效果恐不明朗,因此,虽有大陆模组厂暂停报价,拟调涨报价的动作,但买方仍在观望,涨价效应有待继续观察,特别是主流内存报价上涨时间可能有所延后。

    Q3进入传统备货旺季

    且从台系模组厂角度来看,NAND需求缓步回升,但多属急单,客户拉货心态保守,下单维持刚性需求,第二季报价季减11~13%,致各厂第二季营收表现低于预期。

    展望第三季,进入传统备货旺季,NAND报价跌幅有望进一步收敛,研究机构集邦预估,第三季NANDFlash报价将季减3~8%,跌幅收敛。

    内存业者则指出,整体而言,内存报价有落底现象,大厂全面启动减产,效应预估第三季开始反应,报价已非全面下跌,高带宽内存(HBM)在AI风潮带动下,需求大增,价格也不错,研判内存报价于2024年重回上涨周期的概率颇高。

    下半年需求逐步回温

    展望下半年,多数厂商认为,下半年需求有望逐步回温,营运可望优于上半年。

    存储器控制IC设计业者慧荣科技也指出,该公司第三季营收有望季增15~20%,毛利率则持稳往上,反映出PC与行动装置OEM厂相关库存渐趋正常化,并开始向控制IC设计业者增加下单量。

    而三星、SK海力士、美光、铠侠等存储器大厂今年上半年扩大减产,DRAM价格已见止稳,NAND库存也加速去化,预期报价将在第四季或明年第一季全面回升。

    威刚卡位低价库存,存货净额由第一季的72.76亿元,上升至114.62亿元。此举为存储器业者赶在报价反转之前,抢买低价存储器。

    当前终端市场需求仍低,急单较多,订单能见度不高,业者仍静待市场行情早日反转。

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