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先进制程之战:三星/英特尔/台积电动态跟踪

先进制程之战:三星/英特尔/台积电动态跟踪

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近期,三星电子旗下晶圆代工事业SamsungFoundry透露,已开始跟大型芯片客户接洽,准备提供1.4nm及2nm制程的服务。


据朝鲜日报报道,对于三星率先量产3nm(环绕式闸极,gate-all-around,GAA)制程、大客户方面却不如台积电的言论,SamsungFoundry科技长JeongKi-tae近日在韩国国际会议暨展示中心(COEX)举行的2023年半导体博览会(SemiconductorExpo2023)表示,晶圆代工客户大约需要3年才能做出最终购买决定。三星正在跟大客户接洽,可能在未来几年展现成果。


Jeong表示,GAA制程是一种可以延续到未来的技术,鳍式场效电晶体(FinFET)制程则无法更加精进,公司已在跟大客户讨论2nm、1.4nm等未来制程。

 


晶圆代工先进制程进展如何?


相较于成熟制程,先进制程更适用于追求高性能、低功耗的领域。随着AI、高性能计算等新兴技术的驱动下,先进制程需求持续增长,半导体巨头们执迷追求新技术研发,芯片先进制程已从5nm、4nm、发展至3nm,未来还有可能到达2nm、1.4nm。


从当前大厂研发进度看,三星已量产第二代3nm芯片,并计划2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程;


台积电预计N3P将于2024年下半年投产,N3X、2nm工艺计划2025年进入量产阶段。台积电介绍,公司将在2nm制程节点首度使用Gate-all-aroundFETs(GAAFET)晶体管,相较于N3E,该工艺在相同功耗下,速度最快将可增加至15%;在相同速度下,功耗最多可降低30%,同时芯片密度增加大于15%。


英特尔正努力推进“四年五个制程节点”计划,目前其Intel7和Intel4已实现大规模量产;Intel3制程预计在今年下半年可进入准备量产阶段,后续Intel20A与18A制程则分别计划于2024年上、下半年也进入准备量产阶段。


此外,业界认为,可能在接下来的短期内,英特尔在先进制程晶圆代工领域会以Intel3制程为主打,以应对台积电、三星等业者的竞争。

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