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密度提升35%!美光绕过EUV工艺,量产全球最先进的1β制程DRAM

密度提升35%!美光绕过EUV工艺,量产全球最先进的1β制程DRAM

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  11月2日消息,美光科技今日宣布,开始为特定智能手机制造商与芯片组合作伙伴提供1β制程DRAM技术的验证样品,全球最先进的DRAM制程节点1β的量产全面就绪,该制程技术将率先用在美光的LPDDR5X移动内存芯片上,最高传输速率将达到8.5 Gb/s等级,同时具备高性能、高位元密度及低功耗的特性,带来全面的市场优势。

  美光表示,除移动设备外,1β带来的低延迟、低功耗、高性能DRAM,更可支持各种高度回应式服务、即时服务、体验的个人化与脉络化,从智慧车辆到数据中心均可受益。
  
  美光指出,1β是全球最先进的DRAM制程节点,标志着美光自2021年1α(1-alpha)制程量产以来,市场领导地位再下一城。1β节点降低功耗约 15%,提升内存位元密度超过35%,每颗晶粒容量可达16Gb。
  
  能效的提升意味着芯片可以为更强大的处理器腾出容量,从而延长电池使用寿命。内存密度的提升则意味客户可以将更多的数据放到更为紧凑的空间中,为进一步的性能提升释放空间。
  
  美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示,推出 1β DRAM 代表内存技术又一次飞跃式的创新,这要归功于美光独家的多重曝光微影技术、领先的制程技术,以及先进的材料能力,另外,1β 节点带来世界上最先进的DRAM技术,将每个内存晶圆的位元数提升到史上新高,这也为新一代的技术奠定基础,从边缘到云端都可善用丰富资料、智能化、并且节能。而凭借其专有的多重曝光光刻技术,美光成功绕开了其它芯片公司必须使用的极紫外(EUV)光刻机。
  
  DRAM的扩展性很大程度上取决于每平方毫米半导体晶圆面积上继承更多更快闪存的能力,各公司目前通过不断缩小电路面积来进行竞争。而随着芯片尺寸的缩小,这一方向的努力变得越来越难以实现目标。
  
  目前各大芯片公司使用EUV光刻技术来克服难关,但该技术仍处于发展初期。
  
  美光另辟蹊径,采用其先进的多重曝光技术和浸润式光刻技术,以最高精度在微小面积上形成图案,再一次确立了其全球领先的技术地位。
  
  美光强调,随著LPDDR5X开始送样,移动设备生态系将率先受惠于1β DRAM所带来的效能显著提升,使得新一代的行动创新与先进的智能手机体验成为可能,同时功耗更低,同时凭藉1β速度与密度,高频宽使用情境将变得更加灵敏和流畅,不论是下载、启动,或同时使用需要大量数据的 5G 和人工智能(AI)应用程式。
  
  至于使用1β制程的LPDDR5X,不仅将强化智能手机相机的启动、夜间模式、人像模式摄影,提高速度和清晰度,还可实现防手震、高解析度的8K影片录制,以及在手机上直觉地编辑影片。
  
  美光进一步表示,为了让1β和1α制程发挥竞争优势,过去几年积极推动卓越制造、提升工程技术能力、强化开创性研发,加速创新首先让美光比竞争对手提前一年实现前所未有的 1α 节点量产,达成公司史上首次在DRAM和NAND两个领域同时居于市场领导地位。
  
  据悉,多年来,美光投资数十亿美元,将晶圆厂转变为先进、高度自动化、由人工智能驱动的永续营运设施。其中也包括美光对日本广岛厂的投资,广岛厂将以1β制程量产 DRAM。

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