三星电子正在高带宽存储（HBM）市场迅速占据一席之地。三星已成功开发12层DRAM的HBM3E芯片，可能很快就会超越目前的领导者，成为英伟达12层堆叠HBM3E芯片的唯一供应商。

    行业消息称，三星在开发12层HBM3E方面领先于竞争对手，并有望最早于2024年9月成为英伟达12层HBM3E的独家供应商。对此，三星表示无法透露客户信息。

    2024年2月下旬，美光宣布8层HBM3E开始量产，三星也公布成功开发出36GB12层HBM3E产品。三星强调，其12层HBM3E拥有更高的层数，同时保持与8层HBM3E相同的高度。

    12层HBM3E的最大带宽为1280GB/s，与8层HBM3相比，性能和容量超过50%。三星预计将于2024年晚些时候开始量产12层HBM3E。

    虽然三星尚未宣布HBM3E量产，但英伟达CEO黄仁勋在近日举行的GTC2024上证实，三星的HBM目前正在进行验证阶段。黄仁勋甚至在三星12层HBM3E介绍旁边签名并写下“JensenApproved”，引发人们猜测三星HBM3E极有可能通过验证过程。

    在2月18日至21日举行的2024年国际固态电路会议（ISSCC2024）上，三星宣布即将推出的HBM4拥有2TB/s的带宽，与第五代HBM（HBM3E）相比带宽显著增加66%。此外，I/O数量也增加了一倍。

    三星预计将于2026年量产HBM4，研发与对手竞争加剧，备受关注。

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